华微电子全面扩大产能，助推“中国芯”弯道超车

  随着新能源汽车、变频家电、轨道交通、智能电网等行业的快速发展，功率半导体器件需求大增，也将为中国芯带来新的机遇与挑战。作为功率半导体行业的领头羊，为助推中国芯弯道超车，华微电子一直致力于建设芯片制造能力，扩大生产线规模及提高芯片交付能力，推进芯片国产化替代。

  我们现在月产芯片41.5万片，封装每个月大概1.5-2亿只，各生产线都处于满产状态，订单已排到明年……走进吉林华微电子股份有限公司，我们看到的是一派忙碌的生产景象。作为国内功率半导体器件领域首家主板A股上市公司，华微电子正不断扩大产能，加速打通半导体垂直产业链，全面推进芯片国产化替代与半导体技术自主可控。

  我们从华微电子获悉，该公司充分发挥集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试为一体的技术体系和竞争优势，积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造，正努力为中国芯不断迭代升级提供更坚实的技术保障。

  目前，我们公司拥有百余项专利，建有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力每年500万片，封装资源每年24亿只，模块每年1800万块。华微电子CEO助理、芯片制造部总经理孟鹤告诉记者。

  华微电子是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业，公司经科技部、中科院等国家机构认证，被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业、国家企业技术中心、CNAS国家认可实验室。

  公司总资产将近61亿元，员工共计2000余人，技术人员占公司总人数30%以上，占地面积40万平方米，建筑面积13.5万平方米，净化面积17000平方米，主要净化级别为0.3微米百级。

  多年来，华微电子紧随市场发展，将积累多年的技术经验厚积薄发，引领技术前沿，开拓新兴领域。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术，其中IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等国内领先，达到国际同行业先进水平。

  公司主要生产功率半导体器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品，产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围，广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域，而且在新能源汽车、光伏、变频等战略性新兴领域快速拓展。

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